에버스핀테크놀러지스(MRAM), 9.25백만 달러 계약 체결로 MRAM 기술 제공

에버스핀테크놀러지스(MRAM, EVERSPIN TECHNOLOGIES INC ), 9.25백만 달러 계약 체결로 MRAM 기술 제공

14일 미국 증권거래위원회에 따르면 에버스핀테크놀러지스가 2024년 8월 14일, 프론트그레이드 테크놀로지스와의 새로운 전략적 계약을 발표했다.

이 계약에 따라 에버스핀은 혁신적인 PERSYST MRAM 기술, 논리 설계 및 후공정 제조 서비스를 제공하여 프론트그레이드의 미래 제품에 사용될 전략적 방사선 내성(SRH) 고신뢰성 eMRAM 매크로의 개발 및 시연을 지원한다.

에버스핀의 사장 겸 CEO인 산지브 아가르왈은 "에버스핀은 프론트그레이드와 맞춤형 방사선 내성 스핀 전이 토크 MRAM 프로그램을 진행하게 되어 기쁘다"고 밝혔다.

이 프로젝트는 MRAM의 사용과 가용성을 방위 및 항공 우주 방사선 내성 사용 사례로 확대할 예정이다.

이 이니셔티브는 현재 및 미래의 국방부(DoD) 전략 및 상업 우주 시스템 요구 사항을 지원한다.

이 계약은 미네소타주 블루밍턴의 스카이워터 RH90 CMOS와 애리조나주 챈들러의 에버스핀 후공정 MRAM 프로세스를 사용하여 제조된다.

계약은 에버스핀테크놀러지스에 대해 여러 해에 걸쳐 총 9.25백만 달러에 달하는 단계별 지급을 허용하며, 현재 에버스핀과의 단계는 약 1.25백만 달러로 평가된다.

이 단계의 성공적인 수행 후, 미국 정부의 재량에 따라 향후 선택적 단계의 수여가 가능하다.

에버스핀테크놀러지스는 세계 최고의 자성 저항 RAM(MRAM) 제공업체로, 산업 IoT, 데이터 센터 및 데이터 지속성이 중요한 기타 미션 크리티컬 애플리케이션을 위한 가장 강력하고 높은 성능의 비휘발성 메모리를 제공한다.본사는 애리조나주 챈들러에 위치하며, 다양한 고객에게 상용 MRAM 솔루션을 제공한다.



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