나비타스세미컨덕터(NVTS), 2025년 1분기 재무 결과 발표

나비타스세미컨덕터(NVTS, Navitas Semiconductor Corp )는 2025년 1분기 재무 결과를 발표했다.

5일 미국 증권거래위원회에 따르면 2025년 5월 5일, 나비타스세미컨덕터는 2025년 3월 31일로 종료된 분기의 감사되지 않은 통합 재무 결과를 발표했다.이 보도자료는 본 보고서의 부록 99.1로 제공되며, 여기서 참조된다.

나비타스세미컨덕터는 차세대 전력 반도체 회사로, 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 집적회로(IC) 및 실리콘 카바이드(SiC) 기술의 산업 리더이다.

CEO이자 공동 창립자인 진 셰리던은 "우리의 1분기는 GaN 양방향 IC의 세계 최초 생산 출시, 12 kW AI 데이터 센터 전원 공급 장치 플랫폼, GaN 및 SiC 기술에 대한 전례 없는 신뢰성 기준을 포함한 많은 산업 최초를 특징으로 했다"고 말했다.

이어 "이러한 기술 및 신뢰성 성과와 지난해 발표된 4억 5천만 달러의 디자인 수주가 결합되어, 회사는 올해와 2026년 이후 중요한 성장을 위한 위치에 있다"고 덧붙였다.

2025년 1분기 재무 하이라이트에 따르면, 총 수익은 1,400만 달러로, 2024년 1분기의 2,320만 달러 및 2024년 4분기의 1,800만 달러와 비교된다.

운영 손실은 GAAP 기준으로 2,530만 달러로, 2024년 1분기의 3,160만 달러 및 2024년 4분기의 3,900만 달러와 비교된다.

비GAAP 기준으로는 운영 손실이 1,180만 달러로, 2024년 1분기와 동일한 수치이다.2025년 3월 31일 기준으로 현금 및 현금성 자산은 7,510만 달러이다.

시장, 고객 및 기술 하이라이트로는 세계 최초의 650V 양방향 GaN IC 및 IsoFast™ 고속 절연 게이트 드라이버의 생산 출시가 포함된다.

이 기술은 EV 충전, 태양광 마이크로 인버터, 에너지 저장 및 모터 드라이브 등 다양한 응용 분야에서의 전환을 가능하게 한다.

또한, 12 kW 데이터 센터 플랫폼 디자인이 발표되었으며, 이는 AI 프로세서의 새로운 세대를 지원하기 위해 총 랙 전력을 500 kW까지 두 배로 늘릴 수 있도록 한다.

2018년 이후 누적 GaN 출하량은 2억 5천만 개를 초과하며, 100 ppb의 현장 신뢰성 기록을 보여준다.

2025년 2분기 순수익은 1,400만 달러에서 1,500만 달러로 예상되며, 비GAAP 총 이익률은 38.5%로 예상된다.

나비타스세미컨덕터는 2014년에 설립된 순수 전력 반도체 회사로, GaNFast™ 전력 IC는 빠른 충전, 높은 전력 밀도 및 에너지 절약을 가능하게 한다.

현재 나비타스세미컨덕터의 총 자산은 3억 7,083만 달러이며, 총 부채는 2,901만 달러로, 주주 자본은 3억 4,182만 달러이다.



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