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에버스핀테크놀러지스(MRAM), 1455만 달러 수여받아 안정적인 국내 MRAM 제조 제공

에버스핀테크놀러지스(MRAM, EVERSPIN TECHNOLOGIES INC ), 1455만 달러 수여받아 안정적인 국내 MRAM 제조 제공

20일 미국 증권거래위원회에 따르면 에버스핀테크놀러지스(NASDAQ: MRAM)는 2024년 8월 20일, 항공우주 및 방위 부문에 대한 제조 서비스 제공을 위한 장기 계획을 개발하기 위해 전략적 수여를 받았다.

이 수여에 따라 에버스핀은 MRAM 제조 공급망의 위험을 완화하기 위한 계획을 제공할 예정이다.

에버스핀의 MRAM 제조 시설은 미국 내에서 MRAM 웨이퍼 및 장치를 생산하는 데 계속 사용될 것이다.

에버스핀의 사장 겸 CEO인 산지브 아가르왈은 "에버스핀은 항공우주 및 방위 고객에게 지속적인 국내 MRAM 능력을 제공하게 되어 기쁘다"고 말했다.

그는 "우리의 MRAM 제조 기술과 통합은 프론트엔드 CMOS에 구애받지 않으며, 고객과 에버스핀은 선택한 FAB에서 최적의 CMOS 웨이퍼를 조달할 수 있다"고 덧붙였다.

에버스핀의 MRAM 제조 라인은 애리조나주 챈들러에 위치하며, 현재 및 미래의 국방부(DoD) 전략 및 상업 우주 시스템 요구 사항을 지원할 것이다.이 수여의 가치는 2.5년 동안 1455만 달러에 달한다.

에버스핀테크놀러지스는 세계 최고의 자성 저항 RAM(MRAM) 제공업체로, 산업 IoT, 데이터 센터 및 데이터 지속성이 중요한 기타 미션 크리티컬 애플리케이션을 위한 가장 강력하고 높은 성능의 비휘발성 메모리를 제공한다.

본사는 애리조나주 챈들러에 위치하며, 에버스핀은 다양한 고객에게 상용 MRAM 솔루션을 제공하고 있다.



※ 본 컨텐츠는 AI API를 이용하여 요약한 내용으로 수치나 문맥상 요약이 컨텐츠 원문과 다를 수 있습니다. 해당 컨텐츠는 투자 참고용이며 투자를 할때는 컨텐츠 원문을 필히 필독하시기 바랍니다. 원문URL(https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/1438423/000110465924091269/0001104659-24-091269-index.htm)

데이터투자 공시팀 pr@datatooza.com


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