아토메라, 2분기 순손실 630만 달러 기록…실리콘 상 질화갈륨 기술 진전

반도체 소재 및 기술 라이선스 기업 아토메라(ATOMERA INCORPORATED, NASDAQ:ATOM)는 2026년 2분기 실적 발표를 통해 순손실 630만 달러(주당 0.17달러)를 기록했다고 4일(현지시간) 밝혔다. 이는 전년 동기 기록한 순손실 500만 달러(주당 0.17달러) 대비 적자 폭이 확대된 수치다.

아토메라의 2분기 매출은 15만 8,000달러로 전년 동기(0달러) 대비 증가했다. 비GAAP 기준 조정 에비타(EBITDA)는 500만 달러 손실을 기록해 전년 동기의 400만 달러 손실보다 적자 규모가 늘어났다. 올해 상반기 누적 매출은 16만 9,000달러로 전년 동기 기록한 4,000달러에서 크게 늘었다.

재무 상태 및 자산 현황

2026년 6월 30일 기준 아토메라가 보유한 현금, 현금성 자산 및 단기 투자 자산은 총 3,840만 달러로 집계됐다. 이는 2025년 12월 31일 기준 보유액인 1,920만 달러와 비교해 두 배 수준으로 증가한 수치다. 2026년 6월 30일 기준 총 발행 주식 수는 3,900만 주다.

아토메라는 이번 분기 무선주파수(RF) 애플리케이션의 주요 성능 장벽을 해결하는 새로운 '실리콘 상 질화갈륨(GaN-on-Silicon)' 접근 방식을 발표했다. 이와 함께 게이트올어라운드(GAA) 고객사들과의 협력에서 강력한 진전을 이어가고 있으며, DRAM 및 플래시 메모리 제공업체들의 관심도 증가하고 있다고 밝혔다.

스콧 비보(Scott Bibaud) 아토메라 사장 겸 최고경영자(CEO)는 "이번 분기 인공지능(AI)으로 인해 성능 향상 요구가 커진 고급 로직 및 메모리 부문을 중심으로 고객 참여가 우수한 진전을 이루었다"고 말했다. 이어 "과거 RF 설계자들은 높은 비용과 복잡성 때문에 대량 생산에 GaN 사용을 피해왔으나, 자사의 실리콘 상 RF GaN 기술은 저렴한 실리콘 기판의 비용적 장점과 GaN의 성능 향상을 동시에 제공해 완전히 새로운 클래스의 RF 장치를 가능하게 할 잠재력이 있다"고 강조했다.

독자적 MST 기술 기반 사업 전개

아토메라는 독자적인 반도체 트랜지스터 성능 및 전력 효율 향상 기술인 '미어스 실리콘 테크놀로지(Mears Silicon Technology, MST)'를 개발하고 이를 반도체 산업에 배포하는 데 집중하고 있는 기술 라이선스 전문 기업이다. MST 기술은 기존 반도체 제조 시설에 이미 도입된 장비를 활용해 구현할 수 있는 것이 특징이다.

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